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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SPP20N60CFDXK
SPP20N60CFDXK PDF预览

SPP20N60CFDXK

更新时间： 2024-11-15 13:13:59
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
12页 352K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20.7A I(D), 600V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

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SPP20N60CFDXK 技术参数

生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：compliantFactory Lead Time：18 weeks
风险等级：5.64其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：690 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (ID)：20.7 A
最大漏源导通电阻：0.22 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：52 A
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SPP20N60CFDXK 数据手册

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SPP20N60CFD  
Cool MOS™ Power Transistor  
Feature  
V
@ T  
650  
0.22  
20.7  
V
Ω
A
DS  
jmax  
R
DS(on)  
• New revolutionary high voltage technology  
I
D
• Worldwide best R  
in TO 220  
DS(on)  
PG-TO220  
• Ultra low gate charge  
• Periodic avalanche rated  
• Extreme dv/dt rated  
• High peak current capability  
• Intrinsic fast-recovery body diode  
• Extreme low reverse recovery charge  
Type  
Package  
Ordering Code  
Marking  
SPP20N60CFD  
PG-TO220  
Q67040-S4616  
20N60CFD  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
A
Continuous drain current  
I
D
T = 25 °C  
20.7  
13.1  
52  
C
T = 100 °C  
C
Pulsed drain current, t limited by T  
I
D puls  
p
jmax  
690  
mJ  
Avalanche energy, single pulse  
E
E
I
AS  
I = 10 A, V = 50 V  
D
DD  
1)  
1
Avalanche energy, repetitive t limited by T  
AR  
jmax  
jmax  
AR  
I = 20 A, V = 50 V  
D
DD  
20  
40  
A
Avalanche current, repetitive t limited by T  
AR  
AR  
Reverse diode dv/dt  
dv/dt  
V/ns  
V
I =20.7A, V =480V, T =125°C  
S
DS  
j
Gate source voltage  
V
20  
30  
GS  
Gate source voltage AC (f >1Hz)  
V
GS  
208  
W
Power dissipation, T = 25°C  
P
C
tot  
°C  
Operating and storage temperature  
T , T  
-55... +150  
j
stg  
Rev. 2.4  
Page 1  
2005-06-09  
1234567...12

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