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SPP18P06PHXKSA1

更新时间： 2024-09-28 15:52:39

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	650K
描述
Power Field-Effect Transistor, 18.7A I(D), 60V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

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SPP18P06PHXKSA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	1.62	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	151 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	18.7 A
最大漏极电流 (ID)：	18.7 A	最大漏源导通电阻：	0.13 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	81.1 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	74.8 A	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SPP18P06PHXKSA1 数据手册

SPP18P06P H

SIPMOS^®Small-Signal-Transistor

Product Summary

Features

V_DS

-60

0.13

-18.7



• P-Channel

R_DS(on),max

I_D

• Enhancement mode

• Avalanche rated

• dv /dt rated

PG-TO220-3-1

• 175°C operating temperature

• Pb-free lead finishing; RoHS compliant

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

• Qualified according to AEC Q101

Type

Package

Tape and reel information

50pcs/tube

Marking

Lead free

PG-TO220-3

SPP18P06PH

Yes

18P06P

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

steady state

-18.7

I _D

T _A=25 °C

T _A=100 °C

T _A=25 °C

Continuous drain current

-13.2

I _D,pulse

-74.8

Pulsed drain current

E _AS

151

I _D=18.7 A, R _GS=25 

Avalanche energy, single pulse

Avalanche energy, periodic limited by

T_jmax

E _AR

I _D=18.7 A, V _DS=48 V,

di /dt =-200 A/µs,

-6

Reverse diode dv /dt

dv /dt

kV/µs

_j,max=175 °C

V _GS

±20

Gate source voltage

Power dissipation

T _A=25 °C¹⁾

P _tot

81.1

T _j, T _stg

"-55 ... +175"

Class 1C( >1000V <2000V)

260 °C

Operating and storage temperature

ESD class

°C

Soldering temperature

55/150/56

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

Rev1.92

page 1

2014-11-21

12 3 4 5 6 7...9

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SPP18P06PHXKSA1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SPP18P06PG	INFINEON	完全替代	SIPMOS® Power-Transistor Features P-Channel E
SPD18P06PGBTMA1	INFINEON	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 18.6A I(D), 60V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRF9Z34PBF	VISHAY	功能相似	Power MOSFET

与SPP18P06PHXKSA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SPP18P06PXK	INFINEON	获取价格	暂无描述
SPP1UL1000JLF	TTELEC	获取价格	Fibre Core Conformal Coated Wirewound Resistor
SPP1UL15R0JLF	TTELEC	获取价格	Fibre Core Conformal Coated Wirewound Resistor
SPP1UL4700JLF	TTELEC	获取价格	Fibre Core Conformal Coated Wirewound Resistor
SPP1UL4700KLF	TTELEC	获取价格	Fibre Core Conformal Coated Wirewound Resistor
SPP2	TTELEC	获取价格	Fibre core conformal coated wirewound resistor
SPP-2	TTELEC	获取价格	General Purpose Wirewound Resistors
SPP2095	SYNC-POWER	获取价格	P-Channel Enhancement Mode MOSFET
SPP2095_10	SYNC-POWER	获取价格	P-Channel Enhancement Mode MOSFET
SPP2095T252RG	SYNC-POWER	获取价格	P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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