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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SPP20N60C3XK
SPP20N60C3XK PDF预览

SPP20N60C3XK

更新时间： 2024-09-28 13:02:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC局域网
页数 文件大小 规格书
14页 314K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20.7A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

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SPP20N60C3XK 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：compliantFactory Lead Time：18 weeks
风险等级：5.76其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：690 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (ID)：20.7 A
最大漏源导通电阻：0.19 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：62.1 A
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SPP20N60C3XK 数据手册

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SPP20N60C3, SPB20N60C3  
SPI20N60C3, SPA20N60C3  
Final data  
Cool MOS™ Power Transistor  
V
@ T  
650  
0.19  
20.7  
V
Ω
A
DS  
jmax  
Feature  
R
DS(on)  
• New revolutionary high voltage technology  
I
D
• Worldwide best R in TO 220  
DS(on)  
P-TO220-3-31  
P-TO262-3-1  
P-TO263-3-2  
P-TO220-3-1  
• Ultra low gate charge  
• Periodic avalanche rated  
• Extreme dv/dt rated  
• High peak current capability  
• Improved transconductance  
3
2
1
P-TO220-3-31  
• P-TO-220-3-31: Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute)  
Type  
Package  
Ordering Code  
Marking  
SPP20N60C3  
SPB20N60C3  
SPI20N60C3  
SPA20N60C3  
P-TO220-3-1 Q67040-S4398  
P-TO263-3-2 Q67040-S4397  
P-TO262-3-1 Q67040-S4550  
20N60C3  
20N60C3  
20N60C3  
20N60C3  
P-TO220-3-31  
Q67040-S4410  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
SPP_B  
SPP_B_I  
Unit  
SPA  
Continuous drain current  
I
A
D
1)  
T = 25 °C  
20.7  
13.1  
20.7  
13.1  
C
1)  
T = 100 °C  
C
Pulsed drain current, t limited by T  
Avalanche energy, single pulse  
I
D puls  
62.1  
690  
62.1  
690  
A
mJ  
p
jmax  
E
AS  
I =10A, V =50V  
D
DD  
2)  
E
Avalanche energy, repetitive t limited by T  
1
1
AR  
AR  
jmax  
I =20A, V =50V  
D
DD  
Avalanche current, repetitive t limited by T  
Gate source voltage static  
I
20  
20  
±20  
±30  
34.5  
A
V
AR  
jmax  
AR  
V
V
P
±20  
±30  
208  
GS  
GS  
tot  
Gate source voltage AC (f >1Hz)  
Power dissipation, T = 25°C  
W
C
Operating and storage temperature  
T , T  
-55...+150  
°C  
j
stg  
Page 1  
2003-10-08  
1234567...14

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