SPP18P06PG

更新时间： 2024-11-15 06:13:27

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
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描述
SIPMOS® Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode

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SPP18P06PG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.67	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	151 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	18.7 A	最大漏极电流 (ID)：	18.7 A
最大漏源导通电阻：	0.13 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	81.1 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	74.8 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SPP18P06PG 数据手册

SPP18P06P G

SIPMOS^®Power-Transistor

Product Summary

Features

V _DS

-60

0.13

-18.6

Ω

• P-Channel

R _DS(on),max

I _D

• Enhancement mode

• Avalanche rated

• dv /dt rated

PG-TO220-3

• 175°C operating temperature

Pb-free lead finishing; RoHS compliant

Type

Package

Tape and reel information

Marking Lead free

18P06P Yes

SPP18P06PG PG-TO220-3

50pcs / tube

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

steady state

-18.7

I _D

T _A=25 °C

T _A=100 °C

T _A=25 °C

Continuous drain current

-13.2

I _D,pulse

E _AS

-74.8

Pulsed drain current

151

I _D=18.7 A, R _GS=25 Ω

Avalanche energy, single pulse

Avalanche energy, periodic limited by

T_jmax

E _AR

I _D=18.7 A, V _DS=48 V,

di /dt =-200 A/µs,

-6

Reverse diode dv /dt

dv /dt

kV/µs

_j,max=175 °C

V _GS

±20

Gate source voltage

Power dissipation

T _A=25 °C¹⁾

P _tot

81.1

T _j, T _stg

"-55 ... +175"

Operating and storage temperature

ESD class

°C

260 °C

Soldering temperature

55/150/56

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

Rev1.8

page 1

2009-04-14

12 3 4 5 6 7...9

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SPP18P06PG 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SPP18P06PHXKSA1	INFINEON	完全替代	Power Field-Effect Transistor, 18.7A I(D), 60V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
SPD18P06PGBTMA1	INFINEON	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 18.6A I(D), 60V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me

与SPP18P06PG相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SPP18P06PG_10	INFINEON	获取价格	SIPMOS Power-Transistor
SPP18P06PH	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 18.7A I(D), 60V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
SPP18P06PHXK	INFINEON	获取价格	暂无描述
SPP18P06PHXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 18.7A I(D), 60V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
SPP18P06PXK	INFINEON	获取价格	暂无描述
SPP1UL1000JLF	TTELEC	获取价格	Fibre Core Conformal Coated Wirewound Resistor
SPP1UL15R0JLF	TTELEC	获取价格	Fibre Core Conformal Coated Wirewound Resistor
SPP1UL4700JLF	TTELEC	获取价格	Fibre Core Conformal Coated Wirewound Resistor
SPP1UL4700KLF	TTELEC	获取价格	Fibre Core Conformal Coated Wirewound Resistor
SPP2	TTELEC	获取价格	Fibre core conformal coated wirewound resistor

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