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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 8.42 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 150 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 18.6 A | 最大漏极电流 (ID)： | 18.6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.13 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 80 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 74.4 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPP18P06P H | INFINEON |
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Infineon’s highly innovative OptiMOS™ familie |
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| SPP18P06P_09 | INFINEON |
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SIPMOS® Power-Transistor Features P-Channel E |
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| SPP18P06PG | INFINEON |
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SIPMOS® Power-Transistor Features P-Channel E |
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| SPP18P06PG_10 | INFINEON |
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SIPMOS Power-Transistor |
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| SPP18P06PH | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18.7A I(D), 60V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| SPP18P06PHXK | INFINEON |
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暂无描述 |
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| SPP18P06PHXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18.7A I(D), 60V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| SPP18P06PXK | INFINEON |
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暂无描述 |
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| SPP1UL1000JLF | TTELEC |
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Fibre Core Conformal Coated Wirewound Resistor |
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| SPP1UL15R0JLF | TTELEC |
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Fibre Core Conformal Coated Wirewound Resistor |
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