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Datasheet > 暂无类别数据> SMMBT3904LT1G
SMMBT3904LT1G PDF预览

SMMBT3904LT1G

更新时间： 2024-11-20 12:03:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号双极晶体管光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
7页 132K
描述
General Purpose Transistor

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SMMBT3904LT1G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：1.51
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：2404831Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：Transistor BJT NPNSamacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：SOT?23 (TO?236)Samacsys Released Date：2019-09-09 02:59:08
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.2 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
参考标准：AEC-Q101子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：300 MHz最大关闭时间（toff）：250 ns
最大开启时间（吨）：70 nsBase Number Matches：1

SMMBT3904LT1G 数据手册

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MMBT3904L, SMMBT3904L  
General Purpose Transistor  
NPN Silicon  
Features  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
http://onsemi.com  
• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique  
Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and  
PPAP Capable  
COLLECTOR  
3
1
BASE  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
Vdc  
2
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
EMITTER  
60  
Vdc  
Emitter−Base Voltage  
6.0  
Vdc  
3
Collector Current − Continuous  
Collector Current − Peak (Note 3)  
I
C
200  
900  
mAdc  
mAdc  
SOT−23 (TO−236)  
CASE 318  
I
CM  
1
STYLE 6  
THERMAL CHARACTERISTICS  
2
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR−5 Board  
P
D
MARKING DIAGRAM  
(Note 1) @T = 25°C  
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
556  
°C/W  
1AM M G  
q
JA  
G
Total Device Dissipation Alumina  
Substrate, (Note 2)  
P
D
1
@T = 25°C  
300  
2.4  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
1AM = Specific Device Code  
M
G
= Date Code*  
= Pb−Free Package  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R
417  
°C/W  
°C  
q
JA  
T , T  
J
−55 to +150  
stg  
(Note: Microdot may be in either location)  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. FR−5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.  
*Date Code orientation and/or overbar may  
vary depending upon manufacturing location.  
2. Alumina = 0.4 ꢀ 0.3 ꢀ 0.024 in. 99.5% alumina.  
ORDERING INFORMATION  
3. Reference SOA curve.  
†
Device  
Package  
Shipping  
MMBT3904LT1G  
SMMBT3904LT1G  
SOT−23  
(Pb−Free)  
3000 / Tape &  
Reel  
MMBT3904LT3G  
SMMBT3904LT3G  
SOT−23  
(Pb−Free)  
10,000 / Tape &  
Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2012  
1
Publication Order Number:  
November, 2012 − Rev. 12  
MMBT3904LT1/D  
 
1234567

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SMMBT3904LT1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2N3904RLRP ONSEMI

完全替代

 General Purpose Transistors(NPN Silicon)
SMMBT3904LT3G ONSEMI

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