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SMMBT3906LT1 PDF预览

SMMBT3906LT1

更新时间： 2024-02-26 12:42:04
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 96K
描述
200mA, 40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN

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SMMBT3906LT1 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：4 weeks风险等级：0.51
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：227118Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：Transistor BJT PNPSamacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：SOT-23 (TO-236) CASE 318-08Samacsys Released Date：2015-09-14 02:26:06
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.2 A
基于收集器的最大容量：4.5 pF集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JEDEC-95代码：TO-236JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W参考标准：AEC-Q101
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
最大关闭时间（toff）：300 ns最大开启时间（吨）：70 ns
VCEsat-Max：0.4 VBase Number Matches：1

SMMBT3906LT1 数据手册

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MMBT3906LT1  
Preferred Device  
General Purpose Transistor  
PNP Silicon  
Features  
•ꢀPb-Free Packages are Available  
http://onsemi.com  
COLLECTOR  
3
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
1
BASE  
Collectorꢁ-ꢁEmitter Voltage  
V
CEO  
-40  
Vdc  
Collectorꢁ-ꢁBase Voltage  
V
-40  
-5.0  
-200  
-800  
Vdc  
Vdc  
CBO  
2
EMITTER  
Emitterꢁ-ꢁBase Voltage  
V
EBO  
Collector Current - Continuous  
Collector Current - Peak (Note 3)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
I
C
mAdc  
mAdc  
I
CM  
3
1
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
2
Total Device Dissipation FR-ꢁ5 Board  
(Note 1) @ T = 25°C  
P
D
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
A
SOT-23 (TO-236)  
CASE 318  
STYLE 6  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
R
q
JA  
556  
°C/W  
Total Device Dissipation Alumina  
Substrate, (Note 2) @ T = 25°C  
P
D
300  
2.4  
mW  
mW/°C  
A
MARKING DIAGRAM  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R
417  
°C/W  
°C  
q
JA  
2A MꢀG  
T , T  
J
-ꢁ55 to +150  
stg  
G
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
1
2A = Specific Device Code  
= Date Code*  
M
1. FR-ꢁ5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 ꢀ 0.3 ꢀ 0.024 in. 99.5% alumina.  
3. Reference SOA curve.  
G
= Pb-Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
*Date Code orientation and/or overbar may  
vary depending upon manufacturing location.  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
MMBT3906LT1  
SOT-23 3,000 / Tape & Reel  
MMBT3906LT1G SOT-23 3,000 / Tape & Reel  
(Pb-Free)  
MMBT3906LT3  
SOT-23 10,000 / Tape & Reel  
MMBT3906LT3G SOT-23 10,000 / Tape & Reel  
(Pb-Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
©ꢀ Semiconductor Components Industries, LLC, 2007  
July, 2007 - Rev. 6  
1
Publication Order Number:  
MMBT3906LT1/D  
 
1234567

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