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SMMBT4401LT1G

更新时间： 2024-02-22 22:22:25
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI PC开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 153K
描述
Switching Transistor NPN Silicon

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SMMBT4401LT1G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT-23包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：8 weeks
风险等级：1.49Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：413180
Samacsys Pin Count：3Samacsys Part Category：Transistor BJT NPN
Samacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)Samacsys Footprint Name：SOT?23-11
Samacsys Released Date：2018-12-03 04:16:30Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JEDEC-95代码：TO-236JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W参考标准：AEC-Q101
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHz最大关闭时间（toff）：35 ns
最大开启时间（吨）：255 nsBase Number Matches：1

SMMBT4401LT1G 数据手册

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MMBT4401L, SMMBT4401L  
Switching Transistor  
NPN Silicon  
Features  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
http://onsemi.com  
COLLECTOR  
3
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable  
• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique  
Site and Control Change Requirements  
1
BASE  
MAXIMUM RATINGS  
2
Rating  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
Vdc  
EMITTER  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
60  
Vdc  
3
6.0  
Vdc  
SOT−23 (TO−236)  
CASE 318  
STYLE 6  
Collector Current − Continuous  
Collector Current − Peak  
I
C
600  
900  
mAdc  
mAdc  
1
2
I
CM  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
MARKING DIAGRAM  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR−5 Board  
P
D
(Note 1) @T = 25°C  
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
A
2X M G  
Derate above 25°C  
G
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
556  
°C/W  
q
JA  
1
Total Device Dissipation Alumina  
P
D
2X = Specific Device Code  
Substrate (Note 2) @T = 25°C  
300  
2.4  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
M
= Date Code*  
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R
417  
°C/W  
°C  
q
JA  
T , T  
J
−55 to +150  
*Date Code orientation and/or overbar may  
vary depending upon manufacturing location.  
stg  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
*Transient pulses must not cause the junction temperature to be exceeded.  
1. FR−5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.  
ORDERING INFORMATION  
2. Alumina = 0.4 ꢀ 0.3 ꢀ 0.024 in. 99.5% alumina.  
†
Device  
Package  
Shipping  
MMBT4401LT1G  
SMMBT4401LT1G  
SOT−23  
(Pb−Free)  
3000 / Tape &  
Reel  
MMBT4401LT3G  
SOT−23  
(Pb−Free)  
10,000 / Tape &  
Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2011  
1
Publication Order Number:  
October, 2011 − Rev. 10  
MMBT4401LT1/D  
1234567

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SMMBT4401LT1G 替代型号

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