5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 8 weeks | 风险等级： | 1.56 |
| Samacsys Description： | High Voltage Transistor PNP Silicon | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 150 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 | JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W |
| 参考标准： | AEC-Q101 | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MMBT5401LT3G | ONSEMI |
完全替代  |
High Voltage Transistor(PNP Silicon) |
|
| NSVMMBT5401LT3G | ONSEMI |
类似代替 |
高电压 PNP 双极晶体管 |
|
| MMBT5401LT1G | ONSEMI |
类似代替 |
High Voltage Transistor(PNP Silicon) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SMMBT5551LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
High Voltage Transistors |
|
| SMMBT5551LT3G | ONSEMI |
获取价格 |
High Voltage Transistors |
|
| SMMBT6427LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
NPN 双极达林顿晶体管 |
|
| SMMBT6521LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
NPN 双极小信号晶体管 |
|
| SMMBT918LT1 | ONSEMI |
获取价格 |
UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AF, CASE 318-08, 3 PIN |
|
| SMMBTA06LT1 | ONSEMI |
获取价格 |
500mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN |
|
| SMMBTA06LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
Driver Transistors |
|
| SMMBTA06LT3G | ONSEMI |
获取价格 |
Driver Transistors |
|
| SMMBTA06W | ONSEMI |
获取价格 |
Driver Transistor |
|
| SMMBTA06WT1G | ONSEMI |
获取价格 |
Driver Transistor |
|
MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
高压电解电容的分类与选型策略
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
