是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOT-23 |
包装说明: | CASE 318-08, TO-236, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.24 |
最大集电极电流 (IC): | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压: | 150 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 50 |
JEDEC-95代码: | TO-236AB | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e0 | 湿度敏感等级: | NOT SPECIFIED |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
极性/信道类型: | PNP | 认证状态: | COMMERCIAL |
表面贴装: | YES | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 100 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SMMBT5401LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
高电压 PNP 双极晶体管 | |
SMMBT5551LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
High Voltage Transistors | |
SMMBT5551LT3G | ONSEMI |
获取价格 |
High Voltage Transistors | |
SMMBT6427LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
NPN 双极达林顿晶体管 | |
SMMBT6521LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
NPN 双极小信号晶体管 | |
SMMBT918LT1 | ONSEMI |
获取价格 |
UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AF, CASE 318-08, 3 PIN | |
SMMBTA06LT1 | ONSEMI |
获取价格 |
500mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN | |
SMMBTA06LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
Driver Transistors | |
SMMBTA06LT3G | ONSEMI |
获取价格 |
Driver Transistors | |
SMMBTA06W | ONSEMI |
获取价格 |
Driver Transistor |