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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> SMMBT3906LT1G
SMMBT3906LT1G PDF预览

SMMBT3906LT1G

更新时间： 2024-02-18 09:46:10
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号双极晶体管光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
7页 128K
描述
General Purpose Transistor

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SMMBT3906LT1G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：4 weeks风险等级：0.51
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：227118Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：Transistor BJT PNPSamacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：SOT-23 (TO-236) CASE 318-08Samacsys Released Date：2015-09-14 02:26:06
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.2 A
基于收集器的最大容量：4.5 pF集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JEDEC-95代码：TO-236JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W参考标准：AEC-Q101
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
最大关闭时间（toff）：300 ns最大开启时间（吨）：70 ns
VCEsat-Max：0.4 VBase Number Matches：1

SMMBT3906LT1G 数据手册

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MMBT3906L, SMMBT3906L  
General Purpose Transistor  
PNP Silicon  
Features  
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable  
http://onsemi.com  
• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique  
Site and Control Change Requirements  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
COLLECTOR  
3
1
BASE  
MAXIMUM RATINGS  
2
EMITTER  
Rating  
Symbol  
Value  
−40  
Unit  
Vdc  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
−40  
Vdc  
3
Emitter−Base Voltage  
−5.0  
−200  
−800  
Vdc  
1
Collector Current − Continuous  
Collector Current − Peak (Note 3)  
I
C
mAdc  
mAdc  
2
I
CM  
SOT−23 (TO−236)  
CASE 318  
THERMAL CHARACTERISTICS  
STYLE 6  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR−5 Board  
P
D
(Note 1) @ T = 25°C  
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
A
MARKING DIAGRAM  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
556  
°C/W  
q
JA  
2A M G  
Total Device Dissipation Alumina  
P
D
Substrate, (Note 2) @ T = 25°C  
300  
2.4  
mW  
mW/°C  
G
A
Derate above 25°C  
1
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R
417  
°C/W  
°C  
q
JA  
2A = Specific Device Code  
T , T  
J
−55 to +150  
M
= Date Code*  
stg  
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. FR−5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.  
*Date Code orientation and/or overbar may  
vary depending upon manufacturing location.  
2. Alumina = 0.4 ꢀ 0.3 ꢀ 0.024 in. 99.5% alumina.  
3. Reference SOA curve.  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
MMBT3906LT1G  
SOT−23  
(Pb−Free)  
3,000 / Tape &  
Reel  
MMBT3906LT3G  
SMMBT3906LT1G  
SOT−23  
(Pb−Free)  
10,000 / Tape &  
Reel  
SOT−23  
(Pb−Free)  
3,000 / Tape &  
Reel  
SSMBT3906LT3G  
SOT−23  
(Pb−Free)  
10,000 / Tape &  
Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2011  
1
Publication Order Number:  
November, 2011 − Rev. 10  
MMBT3906LT1/D  
 
1234567

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SMMBT3906LT1G 替代型号

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