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SMMBT3904WT1

更新时间： 2024-01-19 22:57:10
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安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
12页 236K
描述
General Purpose Transistors NPN and PNP Silicon

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SMMBT3904WT1 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：4 weeks风险等级：1.54
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：354573Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：Transistor BJT NPNSamacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：SC-70 (SOT-323) CASE419-04 ISSUE NSamacsys Released Date：2018-07-06 16:58:56
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.2 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.15 W
参考标准：AEC-Q101子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：300 MHz最大关闭时间（toff）：250 ns
最大开启时间（吨）：70 nsBase Number Matches：1

SMMBT3904WT1 数据手册

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MMBT3904WT1, NPN,  
SMMBT3904WT1, NPN,  
MMBT3906WT1, PNP  
General Purpose  
Transistors  
http://onsemi.com  
NPN and PNP Silicon  
COLLECTOR  
3
These transistors are designed for general purpose amplifier  
applications. They are housed in the SOT−323/SC−70 package which  
is designed for low power surface mount applications.  
1
BASE  
Features  
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable  
• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique  
Site and Control Change Requirements  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
2
EMITTER  
3
SC−70 (SOT−323)  
CASE 419  
1
STYLE 3  
2
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
MARKING DIAGRAM  
Collector−Emitter Voltage  
MMBT3904WT1, SMMBT3904WT1  
MMBT3906WT1  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
Vdc  
40  
−40  
xx M G  
Collector−Base Voltage  
MMBT3904WT1, SMMBT3904WT1  
MMBT3906WT1  
Vdc  
Vdc  
G
60  
−40  
1
xx = AM for MMBT3904WT1,  
SMMBT3904WT  
Emitter−Base Voltage  
MMBT3904WT1, SMMBT3904WT1  
MMBT3906WT1  
6.0  
−5.0  
= 2A for MMBT3906WT1  
M
G
= Date Code*  
= Pb−Free Package  
Collector Current − Continuous  
MMBT3904WT1, SMMBT3904WT1  
MMBT3906WT1  
I
C
mAdc  
200  
−200  
(Note: Microdot may be in either location)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
*Date Code orientation may vary depending  
upon manufacturing location.  
Symbol  
Max  
Unit  
ORDERING INFORMATION  
Total Device Dissipation (Note 1)  
P
150  
mW  
D
@T = 25°C  
A
†
Device  
Package  
Shipping  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
833  
°C/W  
°C  
q
JA  
MMBT3904WT1G  
SC−70/  
SOT−323  
(Pb−Free)  
3000 / Tape &  
Reel  
Junction and Storage Temperature  
T , T  
J
−55 to +150  
stg  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Device mounted on FR4 glass epoxy printed circuit board using the minimum  
recommended footprint.  
SMMBT3904WT1G  
MMBT3906WT1G  
SC−70/  
SOT−323  
(Pb−Free)  
3000 / Tape &  
Reel  
SC−70/  
SOT−323  
(Pb−Free)  
3000 / Tape &  
Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2011  
1
Publication Order Number:  
November, 2011 − Rev. 8  
MMBT3904WT1/D  
 
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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