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SMMBD7000LT3G

更新时间： 2024-11-18 12:28:23
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 二极管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 133K
描述
Dual Switching Diode

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SMMBD7000LT3G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT-23包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
Factory Lead Time：4 weeks风险等级：0.54
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.7 V
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：0.5 A元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.225 W参考标准：AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向恢复时间：0.004 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

SMMBD7000LT3G 数据手册

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MMBD7000LT1G,  
SMMBD7000LT1G,  
MMBD7000LT3G,  
SMMBD7000LT3G  
Dual Switching Diode  
http://onsemi.com  
Features  
AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable  
S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique  
Site and Control Change Requirements  
These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant*  
SOT−23 (TO−236)  
CASE 318  
STYLE 11  
1
2
MAXIMUM RATINGS (EACH DIODE)  
ANODE  
CATHODE  
3
Rating  
Reverse Voltage  
Symbol  
Value  
100  
Unit  
Vdc  
CATHODE/ANODE  
V
R
Forward Current  
I
200  
mAdc  
mAdc  
F
MARKING DIAGRAM  
Peak Forward Surge Current  
I
500  
FM(surge)  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
M5C MG  
G
1
THERMAL CHARACTERISTICS  
M5C  
M
G
= Specific Device Code  
= Date Code*  
= Pb−Free Package  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR−5 Board  
P
D
225  
mW  
(Note 1)T = 25C  
A
(Note: Microdot may be in either location)  
Derate above 25C  
1.8  
mW/C  
C/W  
*Date Code orientation and/or overbar may  
vary depending upon manufacturing location.  
Thermal Resistance, Junction to  
Ambient  
R
556  
q
JA  
Total Device Dissipation  
Alumina Substrate, (Note 2)  
P
300  
2.4  
mW  
D
ORDERING INFORMATION  
†
T = 25C  
Device  
Package  
Shipping  
A
Derate above 25C  
mW/C  
C/W  
MMBD7000LT1G  
SOT−23  
3,000 /  
(Pb−Free)  
Tape & Reel  
Thermal Resistance,  
R
q
JA  
Junction−to−Ambient  
417  
SMMBD7000LT1G  
MMBD7000LT3G  
SMMBD7000LT3G  
SOT−23  
(Pb−Free)  
3,000 /  
Tape & Reel  
Junction and Storage Temperature  
T , T  
−55 to +150  
C  
J
stg  
SOT−23  
(Pb−Free)  
10,000 /  
Tape & Reel  
1. FR−5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 ꢀ 0.3 ꢀ 0.024 in. 99.5% alumina.  
SOT−23  
10,000 /  
(Pb−Free)  
Tape & Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2011  
1
Publication Order Number:  
November, 2011 − Rev. 6  
MMBD7000LT1/D  
 
1234

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SMMBD7000LT3G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBD7000LT1G ONSEMI

完全替代

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