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SMMBFJ310LT3G

更新时间： 2024-09-29 01:14:39

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安森美 - ONSEMI		/
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5页	126K
描述
JFET - VHF/UHF Amplifier Transistor

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SMMBFJ310LT3G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	,	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	8 weeks	风险等级：	1.44
FET 技术：	JUNCTION	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最高工作温度：	150 °C
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

SMMBFJ310LT3G 数据手册

MMBFJ309L, MMBFJ310L,

SMMBFJ309L, SMMBFJ310L

JFET - VHF/UHF Amplifier

Transistor

N−Channel

www.onsemi.com

Features

2 SOURCE

• Drain and Source are Interchangeable

• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique

Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and

PPAP Capable

GATE

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

1 DRAIN

Compliant

MAXIMUM RATINGS

Rating

Drain−Source Voltage

Symbol

Value

Unit

SOT−23 (TO−236)

CASE 318

Vdc

STYLE 10

Gate−Source Voltage

Gate Current

Vdc

mAdc

THERMAL CHARACTERISTICS

MARKING DIAGRAM

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR−5 Board,

6x M G

(Note 1) T = 25°C

225

1.8

mW/°C

Derate above 25°C

Thermal Resistance, Junction−to−Ambient

Junction and Storage Temperature

556

°C/W

°C

T , T

−55 to +150

stg

6x = Device Code

x = U for MMBFJ309L, SMMBFJ309L

Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the

device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be

assumed, damage may occur and reliability may be affected.

1. FR−5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.

x = T for MMBFJ310L, SMMBFJ310L

= Date Code*

= Pb−Free Package

(Note: Microdot may be in either location)

*Date Code orientation and/or overbar may

vary depending upon manufacturing location.

ORDERING INFORMATION

†

Device

Package

Shipping

MMBFJ309LT1G,

SMMBFJ309LT1G (Pb−Free)

SOT−23

3,000 / Tape &

Reel

MMBFJ310LT1G, SOT−23

SMMBFJ310LT1G (Pb−Free)

3,000 / Tape &

Reel

SMMBFJ310LT3G SOT−23

(Pb−Free)

10,000 / Tape &

Reel

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specifications

Brochure, BRD8011/D.

Publication Order Number:

October, 2016 − Rev. 8

MMBFJ309LT1/D

12 3 4 5

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MMBFU310LT1G	ONSEMI	类似代替	JFET Transistor N-Channel
MMBFJ310LT1G	ONSEMI	类似代替	JFET - VHF/UHF Amplifier Transistor N-Channel

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SMMBT2222AWT1G	ONSEMI	获取价格	NPN 双极晶体管
SMMBT2369ALT1G	ONSEMI	获取价格	Switching Transistors
SMMBT2369LT1G	ONSEMI	获取价格	Switching Transistors
SMMBT2907AL	ONSEMI	获取价格	General Purpose Transistors PNP Silicon
SMMBT2907ALT1	ONSEMI	获取价格	600mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-08, 3 PIN
SMMBT2907ALT1G	ONSEMI	获取价格	General Purpose Transistors PNP Silicon
SMMBT2907ALT3G	ONSEMI	获取价格	General Purpose Transistors PNP Silicon
SMMBT3904DW1TG	ONSEMI	获取价格	TRANSISTOR SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal

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