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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.81 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 25 V | FET 技术： | JUNCTION |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 2.5 pF | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 | 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SMMBFJ310LT3G | ONSEMI |
获取价格 |
JFET - VHF/UHF Amplifier Transistor |
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| SMMBT2222ALT1G | ONSEMI |
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General Purpose Transistors |
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| SMMBT2222ALT3G | ONSEMI |
获取价格 |
General Purpose Transistors |
|
| SMMBT2222AWT1G | ONSEMI |
获取价格 |
NPN 双极晶体管 |
|
| SMMBT2369ALT1G | ONSEMI |
获取价格 |
Switching Transistors |
|
| SMMBT2369LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
Switching Transistors |
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| SMMBT2907AL | ONSEMI |
获取价格 |
General Purpose Transistors PNP Silicon |
|
| SMMBT2907ALT1 | ONSEMI |
获取价格 |
600mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-08, 3 PIN |
|
| SMMBT2907ALT1G | ONSEMI |
获取价格 |
General Purpose Transistors PNP Silicon |
|
| SMMBT2907ALT3G | ONSEMI |
获取价格 |
General Purpose Transistors PNP Silicon |
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