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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> SMMBT2222ALT1G
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SMMBT2222ALT1G

更新时间： 2024-01-24 13:41:57
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号双极晶体管光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
7页 133K
描述
General Purpose Transistors

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SMMBT2222ALT1G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT-23包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：10 weeks
风险等级：1.49Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：227115
Samacsys Pin Count：3Samacsys Part Category：Transistor BJT NPN
Samacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)Samacsys Footprint Name：SOT?23 (TO?23
Samacsys Released Date：2015-09-11 07:48:48Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：75
JEDEC-95代码：TO-236JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W参考标准：AEC-Q101
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
最大关闭时间（toff）：285 ns最大开启时间（吨）：35 ns
Base Number Matches：1

SMMBT2222ALT1G 数据手册

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MMBT2222L, MMBT2222AL,  
SMMBT2222AL  
General Purpose Transistors  
NPN Silicon  
http://onsemi.com  
Features  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
COLLECTOR  
3
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable  
• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique  
Site and Control Change Requirements  
1
BASE  
2
MAXIMUM RATINGS  
EMITTER  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector−Emitter Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
Vdc  
3
MMBT2222L  
30  
40  
MMBT2222AL, SMMBT2222AL  
1
Collector−Base Voltage  
Vdc  
Vdc  
MMBT2222L  
60  
75  
2
MMBT2222AL, SMMBT2222AL  
SOT−23  
CASE 318  
STYLE 6  
Emitter−Base Voltage  
MMBT2222L  
5.0  
6.0  
MMBT2222AL, SMMBT2222AL  
Collector Current − Continuous  
I
600  
mAdc  
mAdc  
C
MARKING DIAGRAM  
Collector Current − Peak (Note 3)  
I
1100  
CM  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
xxx M G  
Symbol  
Max  
Unit  
G
Total Device Dissipation FR−5 Board  
P
D
1
(Note 1) T = 25°C  
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
xxx = 1P or M1B  
M
G
= Date Code*  
= Pb−Free Package  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
556  
°C/W  
q
JA  
Total Device Dissipation Alumina  
P
D
(Note: Microdot may be in either location)  
Substrate (Note 2) T = 25°C  
300  
2.4  
mW  
mW/°C  
A
*Date Code orientation and/or overbar may  
vary depending upon manufacturing location.  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
417  
°C/W  
°C  
q
JA  
ORDERING INFORMATION  
Junction and Storage Temperature Range T , T  
−55 to +150  
J
stg  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 6 of this data sheet.  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. FR−5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 ꢀ 0.3 ꢀ 0.024 in. 99.5% alumina.  
3. Reference SOA curve.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2011  
1
Publication Order Number:  
October, 2011 − Rev. 10  
MMBT2222LT1/D  
 
1234567

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