5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > SMMBFJ310LT1G
SMMBFJ310LT1G PDF预览

SMMBFJ310LT1G

更新时间： 2024-01-16 03:42:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
5页 126K
描述
JFET - VHF/UHF Amplifier Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

SMMBFJ310LT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：,针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：8 weeks风险等级：1.44
FET 技术：JUNCTIONJESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.225 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)Base Number Matches：1

SMMBFJ310LT1G 数据手册

 浏览型号SMMBFJ310LT1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SMMBFJ310LT1G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SMMBFJ310LT1G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SMMBFJ310LT1G的Datasheet PDF文件第5页 
MMBFJ309L, MMBFJ310L,  
SMMBFJ309L, SMMBFJ310L  
JFET - VHF/UHF Amplifier  
Transistor  
N−Channel  
www.onsemi.com  
Features  
2 SOURCE  
• Drain and Source are Interchangeable  
• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique  
Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and  
PPAP Capable  
3
GATE  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
1 DRAIN  
Compliant  
MAXIMUM RATINGS  
3
Rating  
Drain−Source Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
SOT−23 (TO−236)  
CASE 318  
V
DS  
25  
Vdc  
1
STYLE 10  
2
Gate−Source Voltage  
Gate Current  
V
GS  
25  
10  
Vdc  
I
G
mAdc  
THERMAL CHARACTERISTICS  
MARKING DIAGRAM  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR−5 Board,  
P
D
6x M G  
(Note 1) T = 25°C  
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
G
1
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R
556  
°C/W  
°C  
q
JA  
T , T  
−55 to +150  
J
stg  
6x = Device Code  
x = U for MMBFJ309L, SMMBFJ309L  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1. FR−5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
x = T for MMBFJ310L, SMMBFJ310L  
= Date Code*  
= Pb−Free Package  
M
G
(Note: Microdot may be in either location)  
*Date Code orientation and/or overbar may  
vary depending upon manufacturing location.  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
MMBFJ309LT1G,  
SMMBFJ309LT1G (Pb−Free)  
SOT−23  
3,000 / Tape &  
Reel  
MMBFJ310LT1G, SOT−23  
SMMBFJ310LT1G (Pb−Free)  
3,000 / Tape &  
Reel  
SMMBFJ310LT3G SOT−23  
(Pb−Free)  
10,000 / Tape &  
Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 1994  
1
Publication Order Number:  
October, 2016 − Rev. 8  
MMBFJ309LT1/D  
 
12345

中文翻译

下载PDF

SMMBFJ310LT1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBF5485 ONSEMI

完全替代

 N 沟道 RF 晶体管
SMMBFJ310LT3G ONSEMI

完全替代

 JFET - VHF/UHF Amplifier Transistor
MMBF5458 ONSEMI

类似代替

 N 沟道通用放大器

与SMMBFJ310LT1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SMMBFJ310LT3 ROCHESTER

获取价格

 		UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
SMMBFJ310LT3G ONSEMI

获取价格

 		JFET - VHF/UHF Amplifier Transistor
SMMBT2222ALT1G ONSEMI

获取价格

 		General Purpose Transistors
SMMBT2222ALT3G ONSEMI

获取价格

 		General Purpose Transistors
SMMBT2222AWT1G ONSEMI

获取价格

 		NPN 双极晶体管
SMMBT2369ALT1G ONSEMI

获取价格

 		Switching Transistors
SMMBT2369LT1G ONSEMI

获取价格

 		Switching Transistors
SMMBT2907AL ONSEMI

获取价格

 		General Purpose Transistors PNP Silicon
SMMBT2907ALT1 ONSEMI

获取价格

 		600mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-08, 3 PIN
SMMBT2907ALT1G ONSEMI

获取价格

 		General Purpose Transistors PNP Silicon

与SMMBFJ310LT1G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证