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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.14 |
| Is Samacsys： | N | JEDEC-95代码： | TO-236 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SMBT3906/MMBT3906 | INFINEON |
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PNP Silicon Switching Transistors |
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| SMBT3906_08 | INFINEON |
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High DC current gain: 0.1 mA to 100 mA Low collector-emitter saturation voltage |
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| SMBT3906DW1T1G | ONSEMI |
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Dual PNP Bipolar Transistor |
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| SMBT3906DW3T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Dual PNP Bipolar Transistor |
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| SMBT3906E6327 | INFINEON |
获取价格 |
PNP Silicon Switching Transistors |
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| SMBT3906E6327 | ROCHESTER |
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200mA, 40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| SMBT3906E6327HTSA1 | INFINEON |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| SMBT3906E6327XT | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| SMBT3906E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| SMBT3906L3-E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Transistor |
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