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SMBT3906/MMBT3906

更新时间： 2024-11-26 12:47:03

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英飞凌 - INFINEON		晶体开关晶体管
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PNP Silicon Switching Transistors

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SMBT3906...MMBT3906

PNP Silicon Switching Transistors

• High DC current gain: 0.1 mA to 100 mA

• Low collector-emitter saturation voltage

• For SMBT3906S and SMBT3906U:

Two (galvanic) internal isolated transistor

with good matching in one package

• Complementary types:

SMBT3904...MMBT3904 (NPN)

• SMBT3906S/ U: for orientation in reel

see package information below

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

Type

Marking

s2A

Pin Configuration

1=B 2=E 3=C

1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT363

1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SC74

Package

SOT23

SMBT3906/ MMBT3906

SMBT3906S

SMBT3906U

s2A

Maximum Ratings

Parameter

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Symbol

Value

200

Unit

CEO

CBO

EBO

Total power dissipation-

tot

T ≤ 71°C, SOT23, MMBT3906

330

250

330

T ≤ 115°C, SOT363, MMBT3906S

T ≤ 107°C, SC74, MMBT3906U

150

°C

Junction temperature

Storage temperature

-65 ... 150

stg

2012-08-21

12 3 4 5 6 7...12

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