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SMBT3906E6327XT

更新时间: 2024-11-26 13:13:39
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英飞凌 - INFINEON 晶体开关小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 892K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

SMBT3906E6327XT 技术参数

是否无铅: 不含铅生命周期:End Of Life
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.67最大集电极电流 (IC):0.2 A
集电极-发射极最大电压:40 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):80JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):250 MHz
最大关闭时间(toff):300 ns最大开启时间(吨):70 ns
Base Number Matches:1

SMBT3906E6327XT 数据手册

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SMBT3906...MMBT3906  
PNP Silicon Switching Transistors  
High DC current gain: 0.1 mA to 100 mA  
Low collector-emitter saturation voltage  
For SMBT3906S and SMBT3906U:  
Two (galvanic) internal isolated transistor  
with good matching in one package  
Complementary types:  
SMBT3904...MMBT3904 (NPN)  
SMBT3906S/ U: for orientation in reel  
see package information below  
Pb-free (RoHS compliant) package  
Qualified according AEC Q101  
Type  
Marking  
s2A  
s2A  
Pin Configuration  
1=B 2=E 3=C  
1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT363  
1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SC74  
Package  
SOT23  
SMBT3906/ MMBT3906  
SMBT3906S  
SMBT3906U  
-
-
-
s2A  
Maximum Ratings  
Parameter  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Symbol  
Value  
40  
40  
6
200  
Unit  
V
V
V
V
CEO  
CBO  
EBO  
mA  
I
C
mW  
Total power dissipation-  
P
tot  
T 71°C, SOT23, MMBT3906  
330  
250  
330  
S
T 115°C, SOT363, MMBT3906S  
S
T 107°C, SC74, MMBT3906U  
S
150  
°C  
Junction temperature  
Storage temperature  
T
j
T
-65 ... 150  
stg  
2012-08-21  
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