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SMBT3906E6327

更新时间: 2024-11-26 12:47:03
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英飞凌 - INFINEON 晶体开关小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 892K
描述
PNP Silicon Switching Transistors

SMBT3906E6327 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:End Of LifeReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:1 week
风险等级:5.29Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.2 A集电极-发射极最大电压:40 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):80
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.33 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):250 MHz
最大关闭时间(toff):300 ns最大开启时间(吨):70 ns
Base Number Matches:1

SMBT3906E6327 数据手册

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SMBT3906...MMBT3906  
PNP Silicon Switching Transistors  
High DC current gain: 0.1 mA to 100 mA  
Low collector-emitter saturation voltage  
For SMBT3906S and SMBT3906U:  
Two (galvanic) internal isolated transistor  
with good matching in one package  
Complementary types:  
SMBT3904...MMBT3904 (NPN)  
SMBT3906S/ U: for orientation in reel  
see package information below  
Pb-free (RoHS compliant) package  
Qualified according AEC Q101  
Type  
Marking  
s2A  
s2A  
Pin Configuration  
1=B 2=E 3=C  
1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT363  
1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SC74  
Package  
SOT23  
SMBT3906/ MMBT3906  
SMBT3906S  
SMBT3906U  
-
-
-
s2A  
Maximum Ratings  
Parameter  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Symbol  
Value  
40  
40  
6
200  
Unit  
V
V
V
V
CEO  
CBO  
EBO  
mA  
I
C
mW  
Total power dissipation-  
P
tot  
T 71°C, SOT23, MMBT3906  
330  
250  
330  
S
T 115°C, SOT363, MMBT3906S  
S
T 107°C, SC74, MMBT3906U  
S
150  
°C  
Junction temperature  
Storage temperature  
T
j
T
-65 ... 150  
stg  
2012-08-21  
1

SMBT3906E6327 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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