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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SC-74 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.13 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A | 集电极-发射极最大电压： | 40 V |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 300 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 250 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 70 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SMBT3904S | INFINEON |
类似代替  |
NPN Silicon Switching Transistor Array |
|
| MMDT3904-7-F | DIODES |
功能相似 |
DUAL NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
|
| MBT3904DW1T1G | ONSEMI |
功能相似 |
Dual General Purpose Transistors |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SMBT3904UPN | INFINEON |
获取价格 |
NPN/PNP Silicon Switching Transistor Array |
|
| SMBT3904UPNE6327 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), NPN and PNP |
|
| SMBT3904UPNE6327HTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, |
|
| SMBT3906 | INFINEON |
获取价格 |
PNP Silicon Switching Transistor |
|
| SMBT3906 | SURGE |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, TO-236, |
|
| SMBT3906/MMBT3906 | INFINEON |
获取价格 |
PNP Silicon Switching Transistors |
|
| SMBT3906_08 | INFINEON |
获取价格 |
High DC current gain: 0.1 mA to 100 mA Low collector-emitter saturation voltage |
|
| SMBT3906DW1T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Dual PNP Bipolar Transistor |
|
| SMBT3906DW3T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Dual PNP Bipolar Transistor |
|
| SMBT3906E6327 | INFINEON |
获取价格 |
PNP Silicon Switching Transistors |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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