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SMBT3904U

更新时间: 2024-11-05 22:50:15
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英飞凌 - INFINEON 晶体开关晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 78K
描述
NPN Silicon Switching Transistor Array

SMBT3904U 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SC-74包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数:6Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.13
最大集电极电流 (IC):0.2 A集电极-发射极最大电压:40 V
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE):30
JESD-30 代码:R-PDSO-G6JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:2
端子数量:6最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:MATTE TIN端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):300 MHz最大关闭时间(toff):250 ns
最大开启时间(吨):70 nsBase Number Matches:1

SMBT3904U 数据手册

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SMBT3904U  
NPN Silicon Switching Transistor Array  
4
High DC current gain: 0.1mA to 100mA  
Low collector-emitter saturation voltage  
Two ( galvanic) internal isolated Transistors  
with good matching in one package  
5
6
3
2
1
Complementary type: SMBT3906U (PNP)  
C1  
6
B2  
5
E2  
4
VPW09197  
TR2  
TR1  
1
2
3
E1  
B1  
C2  
EHA07178  
Type  
Marking  
Pin Configuration  
1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1  
Package  
SMBT3904U  
s1A  
SC74  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
DC collector current  
40  
60  
V
V
V
V
CEO  
CBO  
EBO  
6
200  
mA  
mW  
°C  
I
C
330  
Total power dissipation, T = 105 °C  
P
tot  
S
Junction temperature  
Storage temperature  
150  
T
j
-65 ... 150  
T
stg  
Thermal Resistance  
1)  
Junction - soldering point  
R
135  
K/W  
thJS  
1
For calculation of R  
thJA  
please refer to Application Note Thermal Resistance  
1
Nov-30-2001  

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