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SKM100GAL173D

更新时间： 2024-11-24 19:42:11
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 局域网栅功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 754K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 110A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, CASE D61, 7 PIN

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SKM100GAL173D 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-204
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7针数：2
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.83
其他特性：UL RECOGNIZED外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：110 A集电极-发射极最大电压：1700 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X7元件数量：1
端子数量：7最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：625 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：456 ns标称接通时间 (ton)：85 ns
VCEsat-Max：3.9 VBase Number Matches：1

SKM100GAL173D 数据手册

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