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SKM100GB125DN

更新时间： 2024-11-20 03:31:47

品牌	Logo	应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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描述
Ultra Fast IGBT Module

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SKM100GB125DN 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	DO-204
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	8.46	Is Samacsys：	N
其他特性：	UL RECOGNIZED	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	100 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X7	JESD-609代码：	e3/e4
元件数量：	2	端子数量：	7
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	IEC-60747-1
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN/SILVER	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	380 ns	标称接通时间 (ton)：	120 ns
VCEsat-Max：	3.85 V	Base Number Matches：	1

SKM100GB125DN 数据手册

SKM 100GB125DN

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Features

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21-05-2007 RAA

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SKM100GB125DN 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2MBI100VA-120-50	FUJI	功能相似	IGBT MODULE (V series) 1200V / 100A / 2 in one package

与SKM100GB125DN相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SKM100GB128D	SEMIKRON	获取价格	SPT IGBT Module
SKM100GB128DN	SEMIKRON	获取价格	SPT IGBT Module
SKM100GB12F4	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules SEMITRANS 2 (94x34x30)
SKM100GB12T4	SEMIKRON	获取价格	IGBT4 Modules
SKM100GB12T4_09	SEMIKRON	获取价格	Fast IGBT4 Modules
SKM100GB12T4G	SEMIKRON	获取价格	IGBT4 Modules
SKM100GB12T4G_09	SEMIKRON	获取价格	Fast IGBT4 Modules
SKM100GB12V	SEMIKRON	获取价格	Target Data
SKM100GB12V_11	SEMIKRON	获取价格	SEMITRANS
SKM100GB163D	SEMIKRON	获取价格	SEMITRANS IGBT Modules New Range

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