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SKM100GB128D

更新时间: 2024-11-20 03:31:47
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
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6页 793K
描述
SPT IGBT Module

SKM100GB128D 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DO-204包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
针数:2Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.8Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):145 A
集电极-发射极最大电压:1200 V配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码:R-XUFM-X7JESD-609代码:e2
元件数量:2端子数量:7
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):435 ns
标称接通时间 (ton):213 nsBase Number Matches:1

SKM100GB128D 数据手册

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Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT  
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11-09-2006 SEN  
© by SEMIKRON  

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