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SKM100GD063DL

更新时间： 2024-11-23 22:41:11

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
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描述
Superfast NPT-IGBT Module

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SKM100GD063DL 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DO-204
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X17	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.83
其他特性：	UL RECOGNIZED	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	130 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X17	JESD-609代码：	e2
元件数量：	6	端子数量：	17
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	450 W	认证状态：	Not Qualified
参考标准：	IEC-60747-1	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	335 ns
标称接通时间 (ton)：	90 ns	VCEsat-Max：	2.5 V
Base Number Matches：	1

SKM100GD063DL 数据手册

SKM 100GD063DL

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12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SKM100GD063DL_06	SEMIKRON	获取价格	Superfast NPT-IGBT Module
SKM100GD063DL_09	SEMIKRON	获取价格	Superfast NPT-IGBT Module
SKM100GXXX	SEMIKRON	获取价格	SEMITRANS IGBT Modules New Range
SKM101AR	SEMIKRON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 50V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
SKM101RZR	SEMIKRON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 50V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
SKM10A-03	MEANWELL	获取价格	10W 1"x1" Package DC-DC Regulated Converter
SKM10A-05	MEANWELL	获取价格	10W 1"x1" Package DC-DC Regulated Converter
SKM10A-12	MEANWELL	获取价格	10W 1"x1" Package DC-DC Regulated Converter
SKM10A-15	MEANWELL	获取价格	10W 1"x1" Package DC-DC Regulated Converter
SKM10B-03	MEANWELL	获取价格	10W 1"x1" Package DC-DC Regulated Converter

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