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SKM100GB176DN

更新时间: 2024-11-20 03:31:47
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 698K
描述
Trench IGBT Modules

SKM100GB176DN 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-204
包装说明:CASE D 93, SEMITRANS 2N, 7 PIN针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.7Is Samacsys:N
其他特性:UL RECOGNIZED外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):125 A集电极-发射极最大电压:1700 V
配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODEJESD-30 代码:R-XUFM-X7
JESD-609代码:e2元件数量:2
端子数量:7最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):970 ns
标称接通时间 (ton):345 nsBase Number Matches:1

SKM100GB176DN 数据手册

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SKM 100GB176DN  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
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1
14-06-2005 SEN  
© by SEMIKRON  

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