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SKM100GB124D

更新时间： 2024-11-20 03:31:47

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		双极性晶体管
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Low Loss IGBT Module

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SKM100GB124D 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-204	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.65	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	150 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-PUFM-X7
JESD-609代码：	e2	元件数量：	2
端子数量：	7	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	700 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	485 ns
标称接通时间 (ton)：	125 ns	VCEsat-Max：	2.85 V
Base Number Matches：	1

SKM100GB124D 数据手册

SKM 100GB124D

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08-12-2005 SCT

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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