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SKM100GB123D

更新时间: 2024-11-19 22:43:11
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 563K
描述
IGBT Modules

SKM100GB123D 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-204
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7针数:2
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.79
Is Samacsys:N其他特性:UL RECOGNIZED
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):100 A
集电极-发射极最大电压:1200 V配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压:20 VJESD-30 代码:R-XUFM-X7
JESD-609代码:e2元件数量:2
端子数量:7最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):625 W认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):520 ns标称接通时间 (ton):100 ns
VCEsat-Max:3 VBase Number Matches:1

SKM100GB123D 数据手册

 浏览型号SKM100GB123D的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SKM100GB123D的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SKM100GB123D的Datasheet PDF文件第4页 
SKM 100GB123D  
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Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
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Values  
Units  
 
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+
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SEMITRANS  
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/D0 ꢉ80ꢓ  
100  
+
+
(
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 2 / ꢘꢙ  
(9ꢁ  
SKM 100GB123D  
SKM 100GAL123D  
SKM 100GAR123D  
&
 2 /0 ꢘꢙB ꢙꢄꢅ@B .< 2 /30 4*  
//00  
+
(ꢃꢁ  
. 2 13 4*ꢖ ꢇꢅꢌꢏꢙꢙ ꢋꢈꢕꢏꢑꢛꢄꢙꢏ ꢙꢆꢏꢐꢄ#ꢄꢏꢒ  
Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT  
min.  
typ.  
max. Units  
 
 :5 2  *5 &* 2 1 ꢘ+  
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ꢘ+  
 
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*5ꢃ  
Features  
 
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Typical Applications  
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( 2   
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( 2 /00 +B  :5 2 0  ꢖ .< 2 13 ꢉ/13ꢓ 4*  
1 ꢉ/ꢖ7ꢓ  
1ꢖ1  
/ꢖ1  
//  
 
 
5*  
 
.< 2 /13 ꢉꢓ 4*  
.< 2 /13 ꢉꢓ 4*  
ꢉ.ꢂꢓ  
.  
&
7
ꢘE  
+
&
( 2 /00 +B .< 2 13 ꢉ/13  4*  
ꢒꢄJꢒꢈ 2 /000 +JKꢙ  
:5 2 0   
D3 ꢉ30ꢓ  
3 ꢉ/?ꢓ  
99ꢁ  
Iꢑꢑ  
5ꢑꢑ  
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Mechanical data  
 
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1
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