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Datasheet > 晶体管 > IGBT> SKM100GB063D
SKM100GB063D PDF预览

SKM100GB063D

更新时间： 2024-11-19 22:41:11
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
4页 608K
描述
Superfast NPT-IGBT Module

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SKM100GB063D 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-204
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：8.55Is Samacsys：N
其他特性：UL RECOGNIZED外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：130 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X7JESD-609代码：e2
元件数量：2端子数量：7
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：450 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：335 ns标称接通时间 (ton)：90 ns
VCEsat-Max：2.5 VBase Number Matches：1

SKM100GB063D 数据手册

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SKM 100GB063D  
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Superfast NPT-IGBT  
Module  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT  
ꢂ
min.  
typ.  
max. Units  
SKM 100GB063D  
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1
20-09-2005 RAA  
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