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SI7380ADP-T1-GE3

更新时间： 2024-11-02 20:11:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 96K
描述
TRANSISTOR 31 A, 30 V, 0.0035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8, FET General Purpose Power

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SI7380ADP-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.7外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：40 A最大漏极电流 (ID)：31 A
最大漏源导通电阻：0.0035 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XDSO-C8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：83 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：70 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI7380ADP-T1-GE3 数据手册

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Si7380ADP  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
•
Halogen-free available  
TrenchFET® Power MOSFET  
PWM Optimized  
New Low Thermal Resistance PowerPAK®  
Package with Low 1.07 mm Profile  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a  
40  
RoHS  
0.003 at VGS = 10 V  
0.0035 at VGS = 4.5 V  
COMPLIANT  
30  
54 nC  
40  
•
100 % Rg Tested  
PowerPAK SO-8  
APPLICATIONS  
•
DC/DC Converters  
- Low-Side MOSFET in Synchronous Buck in Desktops  
S
6.15 mm  
5.15 mm  
1
S
2
S
•
Secondary Synchronous Rectifier  
D
3
G
4
D
8
D
7
D
6
G
D
5
Bottom View  
Ordering Information: Si7380ADP-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
S
Si7380ADP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
30  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
12  
TC = 25 °C  
C = 70 °C  
40  
T
32  
31b, c  
25b, c  
70  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
40  
4.9b, c  
83  
Continuous Source-Drain Diode Current  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
53  
PD  
Maximum Power Dissipation  
W
5.4b, c  
3.4b, c  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d, e  
- 55 to 150  
°C  
260  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, f  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
Symbol  
RthJA  
Typical  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
18  
23  
°C/W  
RthJC  
Steady State  
1.0  
1.5  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. See Solder Profile (http://www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed  
copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and  
is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
f. Maximum under Steady State conditions is 65 °C/W.  
Document Number: 73408  
S-80439-Rev. B, 03-Mar-08  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI7380DP VISHAY

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 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI7380DP-E3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 18 A, 30 V, 0.00325 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERPAK, SO-8, FET Gene
SI7380DP-T1 VISHAY

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