SI6434DQ

更新时间： 2024-11-18 03:32:07

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管
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4页	47K
描述
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI6434DQ 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TSSOP
包装说明：	,	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.34
Is Samacsys：	N	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5.6 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SI6434DQ 数据手册

Si6434DQ

Vishay Siliconix

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.028 @ V = 10 V

"5.6

"4.5

0.042 @ V = 4.5 V

TSSOP-8

* Source Pins 2, 3, 6 and 7

must be tied common.

Si6434DQ

Top View

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T= _2C5 UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"20

= 25_C

= 70_C

"5.6

"4.4

"30

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)

1.25

= 25_C

= 70_C

1.5

Maximum Power Dissipation

1.0

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

_C/W

Notes

a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 10 sec.

Document Number: 70178

S-49534—Rev. D, 06-Oct-97

www.Vishay Siliconix.com S FaxBack

408-970-5600

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI6434DQ-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 5600 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSSOP-8, FET General Purpos
SI6435	FAIRCHILD	获取价格	30V P-Channel PowerTrench MOSFET
SI6435ADQ	VISHAY	获取价格	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI6435ADQ_08	VISHAY	获取价格	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI6435ADQ-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 4700 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSSOP-8, FET General Purpos
SI6435ADQ-T1-E3	VISHAY	获取价格	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI6435DQ	FAIRCHILD	获取价格	30V P-Channel PowerTrench MOSFET
SI6435DQ-E3	VISHAY	获取价格	Transistor
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