SI6463BDQ

更新时间： 2024-11-17 22:21:51

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威世 - VISHAY		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	47K
描述
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET

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SI6463BDQ 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.8
Is Samacsys：	N	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6.2 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

SI6463BDQ 数据手册

Si6463BDQ

Vishay Siliconix

New Product

P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.015 @ V

= -4.5 V

= -2.5 V

= -1.8 V

-7.4

- 6.3

- 5.5

0.020 @ V

0.027 @ V

-20

TSSOP-8

* Source Pins 2, 3, 6 and 7

must be tied common.

Si6463BDQ

Top View

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

-20

= 25_C

= 70_C

- 7.4

-5.9

-6.2

4.9

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current (10 ms Pulse Width)

-30

Continuous Source Current (Diode Conduction)

-1.35

1.5

-0.95

1.05

0.67

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

1.0

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

100

120

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJF

_C/W

Maximum Junction-to-Foot

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 72018

S-21782—Rev. A, 07-Oct-02

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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