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SI6465DQ

更新时间： 2024-11-07 21:10:39

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威世 - VISHAY		脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	76K
描述
Transistor,

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SI6465DQ 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.88	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	8 V	最大漏极电流 (ID)：	8.8 A
最大漏源导通电阻：	0.012 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	240	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	30 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SI6465DQ 数据手册

Si6465DQ

Vishay Siliconix

P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.012 @ V = –4.5 V

"8.8

"7.4

"6.0

0.017 @ V = –2.5 V

–8

0.025 @ V = –1.8 V

TSSOP-8

*Source Pins 2, 3, 6 and 7

must be tied common

Si6465DQ

Top View

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T= _2C5 UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

–8

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

= 25_C

= 70_C

"8.8

"7.1

"30

a, b

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

a, b

Continuous Source Current (Diode Conduction)

–1.5

= 25_C

= 70_C

1.5

a, b

Maximum Power Dissipation

1.0

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

_C/W

Steady State

Notes

a. Surface Mounted on FR4 Board.

b. t v 10 sec.

Document Number: 70812

S-56943—Rev. C, 02-Nov-98

www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600

2-1

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI6465DQ-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 8.8 A, 8 V, 0.012 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TSSOP-8, FET General Purpo
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SI6465DQ-T1-E3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 8V, 0.012ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
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