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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSSOP | 包装说明： | TSSOP-8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.36 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 9.2 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 9.2 A | 最大漏源导通电阻： | 0.012 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.6 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SI4403CDY-T1-GE3 | VISHAY |
功能相似  |
Small Signal Field-Effect Transistor, 13.4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| TPS1100DR | TI |
功能相似 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 15V V(BR)DSS | 1.6A I(D) | SO |
|
| TPS1100D | TI |
功能相似 |
SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI6467DQ-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor |
|
| SI6467DQ-T1 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| SI6467DQ-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| SI6469DQ | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
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| SI6469DQ-E3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 6 A, 8 V, 0.031 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TSSOP-8, FET General Purpose |
|
| SI6469DQ-T1 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 8V, 0.031ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| SI6469DQ-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Trans MOSFET P-CH 8V 6A 8-Pin TSSOP T/R |
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| SI6473DQ | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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| SI6473DQ-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| SI6473DQ-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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