是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSSOP |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.32 | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 6.8 A |
最大漏极电流 (ID): | 6.8 A | 最大漏源导通电阻: | 0.014 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 1.5 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
SI3460DDV-T1-GE3 | VISHAY |
功能相似 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI6466DQ | FAIRCHILD |
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20V N-Channel PowerTrench MOSFET | |
SI6466DQ | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | |
SI6466DQ-E3 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | |
SI6467BDQ | VISHAY |
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P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET | |
SI6467BDQ_05 | VISHAY |
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P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET | |
SI6467BDQ-E3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 6800 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSSOP-8, FET General Purpos | |
SI6467BDQ-T1 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor | |
SI6467DQ | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET | |
SI6467DQ | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET | |
SI6467DQ-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor |