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SI6466ADQ-T1-E3

更新时间： 2024-11-21 15:51:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 72K
描述
TRANSISTOR 6800 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSSOP-8, FET General Purpose Small Signal

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SI6466ADQ-T1-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSSOP
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.71配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：6.8 A
最大漏源导通电阻：0.014 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI6466ADQ-T1-E3 数据手册

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Si6466ADQ  
Vishay Siliconix  
N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
Halogen-free  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
8.1  
TrenchFET® Power MOSFETs  
0.014 at VGS = 4.5 V  
0.020 at VGS = 2.5 V  
20  
100 % Rg Tested  
RoHS  
6.6  
COMPLIANT  
D
TSSOP-8  
* Source Pins 2, 3, 6 and 7  
must be tied common.  
G
D
S
S
G
D
S
S
D
1
2
3
4
8
7
6
5
S*  
Top View  
N-Channel MOSFET  
Ordering Information: Si6466ADQ-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
10 s  
Steady State  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
20  
8
V
VGS  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
8.1  
6.6  
6.8  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
5.4  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current (10 µs Pulse Width)  
30  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
1.35  
1.5  
0.95  
1.05  
0.67  
- 55 to 150  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
1.0  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
65  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
83  
120  
52  
Maximum Junction-to-Ambienta  
Maximum Junction-to-Foot  
RthJA  
Steady State  
Steady State  
100  
43  
°C/W  
RthJF  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
Document Number: 71182  
S-80682-Rev. C, 31-Mar-08  
www.vishay.com  
1
12345

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SI6466ADQ-T1-E3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI6466ADQ-T1-GE3 VISHAY

完全替代

 TRANSISTOR 6800 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPL
NDH831N FAIRCHILD

功能相似

 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
SI6426DQ FAIRCHILD

功能相似

 20V N-Channel PowerTrench MOSFET

与SI6466ADQ-T1-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI6466ADQ-T1-GE3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 6800 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPL
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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
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 		Transistor
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 		P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
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