Datasheet > SI6473DQ-T1-GE3

SI6473DQ-T1-GE3

更新时间： 2024-09-17 21:12:15

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
5页	107K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SI6473DQ-T1-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.38
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6.2 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最高工作温度：	150 °C
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.75 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	PURE MATTE TIN
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

SI6473DQ-T1-GE3 数据手册

Si6473DQ

Vishay Siliconix

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

I_D(A)

- 9.5

- 8.5

- 7.3

•

TrenchFET^®Power MOSFETs

0.0125 at V_GS= - 4.5 V

0.016 at V_GS= - 2.5 V

0.0215 at V_GS= - 1.8 V

RoHS

- 20

COMPLIANT

TSSOP-8

* Source Pins 2, 3, 6 and 7

must be tied common.

Si6473DQ

Top View

P-Channel MOSFET

Ordering Information: Si6473DQ-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

10 s

Steady State

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

- 20

V_GS

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

- 9.5

- 5.9

- 6.2

- 4.9

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)^a

I_D

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current (10 µs Pulse Width)

- 30

Continuous Source Current (Diode Conduction)^a

- 1.5

1.75

1.14

- 0.95

1.08

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

Maximum Power Dissipation^a

P_D

0.69

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

- 55 to 150

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t ≤ 10 s

115

Maximum Junction-to-Ambient^a

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

R_thJA

Steady State

°C/W

R_thJF

Notes:

a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.

Document Number: 71164

S-81056-Rev. C, 12-May-08

www.vishay.com

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

SI6473DQ-T1-GE3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SI6473DQ-T1-E3	VISHAY	类似代替	Small Signal Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
SI6473DQ	VISHAY	功能相似	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

与SI6473DQ-T1-GE3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI6475DQ	VISHAY	获取价格	P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI6475DQ-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 7800 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSSOP-8, FET General Purpos
SI-64M	ETC	获取价格	Supports up to four display outputs
SI65	DELTA	获取价格	SMT Power Inductor
SI65_09	DELTA	获取价格	SMT Power Inductor
SI-65001	BEL	获取价格	Telecom and Datacom Connector
SI-65002	BEL	获取价格	SI-65002
SI65-100	DELTA	获取价格	SMT Power Inductor
SI65-100K	DELTA	获取价格	SMT Power Inductor
SI65-101	DELTA	获取价格	SMT Power Inductor