SI6475DQ

更新时间： 2024-09-16 22:21:51

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威世 - VISHAY		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	55K
描述
P-Channel 12-V (D-S) MOSFET

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SI6475DQ 技术参数

是否无铅：	含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSSOP	包装说明：	,
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.06	Is Samacsys：	N
Base Number Matches：	1

SI6475DQ 数据手册

_C/W

Si6475DQ

Vishay Siliconix

New Product

P-Channel 12-V (D-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.011 @ V = –4.5 V

–10

–9

0.0135 @ V = –2.5 V

–12

0.017 @ V = –1.8 V

–8

TSSOP-8

* Source Pins 2, 3, 6 and 7

must be tied common.

Si6475DQ

Top View

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T= _2C5 UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

–12

= 25_C

= 70_C

–10

–8

–7.8

–6.2

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current (10 ms Pulse Width)

–30

Continuous Source Current (Diode Conduction)

–1.5

1.75

1.14

–0.95

1.08

0.69

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

115

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJF

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 71294

S-01889—Rev. A, 28-Aug-00

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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