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SI6469DQ-T1-E3

更新时间： 2024-09-17 21:22:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 212K
描述
Trans MOSFET P-CH 8V 6A 8-Pin TSSOP T/R

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SI6469DQ-T1-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSSOP包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.83
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：8 V
最大漏极电流 (ID)：6 A最大漏源导通电阻：0.031 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI6469DQ-T1-E3 数据手册

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Si6469DQ  
Vishay Siliconix  
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
6.0  
•
TrenchFET® Power MOSFETs: 1.8 V Rated  
0.028 at VGS = - 4.5 V  
0.031 at VGS = - 3.3 V  
0.040 at VGS = - 2.5 V  
0.065 at VGS = - 1.8 V  
RoHS  
5.8  
COMPLIANT  
- 8  
5.0  
3.6  
S
TSSOP-8  
Si6469DQ  
G
D
S
S
G
D
S
S
D
1
2
3
4
8
7
6
5
Top View  
D
Ordering Information: Si6469DQ-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
- 8  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
8
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
6.0  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a, b  
ID  
5.0  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
30  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a, b  
- 1.25  
1.5  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Maximum Power Dissipationa, b  
PD  
W
1.0  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
83  
Unit  
t ≤ 10 s  
Maximum Junction-to-Ambienta  
RthJA  
°C/W  
Steady State  
95  
Notes:  
a. Surface Mounted on FR4 board.  
b. t ≤ 10 s.  
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm.  
Document Number: 70858  
S-81056-Rev. B, 12-May-08  
www.vishay.com  
1
1234567...10

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SI6469DQ-T1-E3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDW254P_NL FAIRCHILD

功能相似

 Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 20V, 0.012ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
DMP2022LSS-13 DIODES

功能相似

 SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
FDW254P FAIRCHILD

功能相似

 P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI6473DQ VISHAY

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 		P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI6473DQ-T1-E3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
SI6473DQ-T1-GE3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
SI6475DQ VISHAY

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 		P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI6475DQ-E3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 7800 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSSOP-8, FET General Purpos
SI-64M ETC

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 		SI-65002

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