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FDW254P_NL

更新时间： 2024-09-17 19:21:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 92K
描述
Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 20V, 0.012ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSSOP-8

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FDW254P_NL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSSOP包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.73
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：9.2 A最大漏极电流 (ID)：9.2 A
最大漏源导通电阻：0.012 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.3 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDW254P_NL 数据手册

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January 2001  
FDW254P  
P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
This P-Channel 1.8V specified MOSFET is a rugged  
gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced  
PowerTrench process. It has been optimized for power  
management applications with a wide range of gate  
drive voltage (1.8V – 8V).  
• –9.2 A, –20 V.  
RDS(ON) = 12 mΩ @ VGS = –4.5 V  
RDS(ON) = 15 mΩ @ VGS = –2.5 V  
RDS(ON) = 21.5 mΩ @ VGS = –1.8 V  
• Rds ratings for use with 1.8 V logic  
• Low gate charge  
Applications  
• Load switch  
• High performance trench technology for extremely  
• Motor drive  
low RDS(ON)  
• DC/DC conversion  
• Power management  
• Low profile TSSOP-8 package  
D
S
5
6
7
8
4
3
2
1
S
D
G
S
S
D
TSSOP-8  
Pin 1  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
–20  
Units  
V
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
V
A
±8  
(Note 1)  
–9.2  
–50  
1.3  
PD  
Power Dissipation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
W
0.6  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
°C  
–55 to +150  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
96  
RθJA  
°C/W  
208  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
254P  
FDW254P  
13’’  
12mm  
3000 units  
FDW254P Rev D (W)  
2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345

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FDW254P_NL 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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