5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > FDW9926NZ
FDW9926NZ PDF预览

FDW9926NZ

更新时间： 2024-11-18 22:40:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
5页 121K
描述
Common Drain N-Channel 2.5V specified PowerTrench MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

FDW9926NZ 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSSOP包装说明：TSSOP-8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.31
配置：COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.5 A最大漏极电流 (ID)：4.5 A
最大漏源导通电阻：0.032 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDW9926NZ 数据手册

 浏览型号FDW9926NZ的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDW9926NZ的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDW9926NZ的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDW9926NZ的Datasheet PDF文件第5页 
January 2005  
FDW9926NZ  
Common Drain N-Channel 2.5V specified PowerTrenchÒ MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged  
gate version of Fairchild's Semiconductor’s advanced  
PowerTrench process. It has been optimized for power  
management applications with a wide range of gate  
drive voltage (2.5V – 10V).  
·
4.5 A, 20 V. RDS(ON) = 32 mW @ VGS = 4.5 V  
RDS(ON) = 45 mW @ VGS = 2.5 V  
·
·
ESD protection diode (note 3)  
High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON) @ VGS = 2.5 V  
Applications  
·
·
·
Battery protection  
Load switch  
·
Low profile TSSOP-8 package  
Power management  
TSSOP-8  
Pin 1  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
V
20  
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
V
A
±12  
(Note 1a)  
4.5  
30  
PD  
Total Power Dissipation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.6  
W
1.1  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
77  
RqJA  
°C/W  
114  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
9926NZ  
FDW9926NZ  
13’’  
12mm  
2500 units  
FDW9926NZ Rev. D(W)  
Ó2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345

中文翻译

下载PDF

与FDW9926NZ相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDWS5360L-F085 ONSEMI

获取价格

 		60V N沟道PowerTrench® MOSFET
FDWS86068-F085 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V，80A，4.5mΩ
FDWS86368-F085 ONSEMI

获取价格

 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 80V, 80A, 4.5mΩ
FDWS86368-F085H ONSEMI

获取价格

 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 80V, 80A, 4.5mΩ
FDWS86369-F085 ONSEMI

获取价格

 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 80V, 65A, 7.5mΩ
FDWS86380 ONSEMI

获取价格

 		N-Channel PowerTrench MOSFET
FDWS86380_F085 ONSEMI

获取价格

 		N-Channel PowerTrench MOSFET
FDWS86380-F085 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，80V，50A，13.4mΩ
FDWS9408-F085 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，80A，1.8mΩ
FDWS9420-F085 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，20A，5.8mΩ

与FDW9926NZ相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证