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FDW9926A

更新时间： 2024-11-18 22:40:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 114K
描述
Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

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FDW9926A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSSOP
包装说明：TSSOP-8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.44配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.5 A
最大漏极电流 (ID)：4.5 A最大漏源导通电阻：0.032 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

FDW9926A 数据手册

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July 2003  
FDW9926A  
Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchÒ MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged  
gate version of Fairchild's Semiconductor’s advanced  
PowerTrench process. It has been optimized for power  
management applications with a wide range of gate  
drive voltage (2.5V – 10V).  
·
4.5 A, 20 V.  
RDS(ON) = 32 mW @ VGS = 4.5 V  
RDS(ON) = 45 mW @ VGS = 2.5 V  
·
·
·
Optimized for use in battery circuit applications  
Extended VGSS range (±10V) for battery applications  
Applications  
·
·
·
Battery protection  
Load switch  
High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
Power management  
·
Low profile TSSOP-8 package  
1
2
3
4
8
7
6
5
TSSOP-8  
Pin 1  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
V
20  
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
V
A
±10  
4.5  
30  
(Note 1a)  
PD  
Total Power Dissipation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.0  
0.6  
W
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
125  
208  
RqJA  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
9926A  
FDW9926A  
13’’  
12mm  
3000 units  
FDW9926A Rev D (W)  
Ó2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345

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FDW9926A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTUD3169CZT5G ONSEMI

功能相似

 Small Signal MOSFET 20 V, 220 mA / −200 mA, Complementary, 1.0 x 1.0 mm SOT−96

与FDW9926A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDW9926A_08 FAIRCHILD

获取价格

 		Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDW9926NZ FAIRCHILD

获取价格

 		Common Drain N-Channel 2.5V specified PowerTrench MOSFET
FDWS5360L-F085 ONSEMI

获取价格

 		60V N沟道PowerTrench® MOSFET
FDWS86068-F085 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V，80A，4.5mΩ
FDWS86368-F085 ONSEMI

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 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 80V, 80A, 4.5mΩ
FDWS86368-F085H ONSEMI

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 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 80V, 65A, 7.5mΩ
FDWS86380 ONSEMI

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 		N-Channel PowerTrench MOSFET
FDWS86380_F085 ONSEMI

获取价格

 		N-Channel PowerTrench MOSFET
FDWS86380-F085 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，80V，50A，13.4mΩ

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