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FDWS86380-F085

更新时间： 2024-11-20 11:11:03
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 338K
描述
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，80V，50A，13.4mΩ

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FDWS86380-F085 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5Reach Compliance Code：not_compliant
Factory Lead Time：47 weeks风险等级：1.56
雪崩能效等级（Eas）：16 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 A最大漏极电流 (ID)：50 A
最大漏源导通电阻：0.0134 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：75 W
参考标准：AEC-Q101表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：30 ns最大开启时间（吨）：31 ns
Base Number Matches：1

FDWS86380-F085 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – N-Channel,  
POWERTRENCH)  
V
R
MAX  
I MAX  
D
DSS  
DS(ON)  
80 V  
13.4 mW @ 10 V  
50 A  
80 V, 50 A, 13.4 mW  
ELECTRICAL CONNECTION  
FDWS86380-F085  
Features  
• Typ R  
• Typ Q  
= 11.3 mW at V = 10 V; I = 50 A  
GS D  
DS(on)  
= 20 nC at V = 10 V; I = 50 A  
g(tot)  
GS  
D
• UIS Capability  
• Wettable Flanks for Automatic Optical Inspection (AOI)  
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable  
N−Channel MOSFET  
Bottom  
Top  
• This Device is Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and is RoHS  
D
D
Compliant  
D
D
Applications  
G
S
S
S
• Automotive Engine Control  
• PowerTrain Management  
• Solenoid and Motor Drivers  
• Electronic Steering  
• Integrated Starter/Alternator  
• Distributed Power Architectures and VRM  
• Primary Switch for 12 V Systems  
Pin 1  
DFNW8  
CASE 507AU  
MARKING DIAGRAM  
MOSFET MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
ON  
AYWWWL  
FDWS  
86380  
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
80  
Unit  
V
V
DSS  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
20  
V
Continuous Drain Current  
GS  
T
T
= 25°C  
= 25°C  
I
D
50  
A
C
(V = 10 V) (Note 1)  
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
Pulsed Drain Current  
See  
Figure 4  
C
WW  
WL  
= Work Week  
= Assembly Lot  
Single Pulse Avalanche Energy (Note 2)  
Power Dissipation  
E
16  
75  
mJ  
W
FDWS86380 = Specific Device Code  
AS  
P
D
Derate above 25°C  
0.5  
W/°C  
°C  
ORDERING INFORMATION  
Operating and Storage Temperature  
T , T  
−55 to  
+175  
J
STG  
†
Device  
Package  
Shipping  
Thermal Resistance (Junction−to−Case)  
R
2
°C/W  
°C/W  
DFNW8  
(Power 56)  
(Pb−Free)  
q
JC  
JA  
FDWS86380−F085  
3000 /  
Tape & Reel  
Maximum Thermal Resistance  
(Junction−to−Ambient) (Note 3)  
R
50  
q
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1. Current is limited by bondwire configuration.  
2. Starting Tj = 25°C, L = 20 mH, I = 40 A, V = 80 V during inductor charging  
AS  
DD  
and V = 0 V during time in avalanche.  
DD  
3. R  
is the sum of the junction−to−case and case−to−ambient thermal  
q
JA  
resistance where the case thermal reference is defined as the solder  
mounting surface of the drain pins. R  
is guaranteed by design while R  
q
JA  
q
JC  
is determined by the user’s board design. The maximum rating presented  
2
here is based on mounting on a 1 in pad of 2 oz copper.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2016  
1
Publication Order Number:  
October, 2021 − Rev. 3  
FDWS86380−F085/D  
 
1234567

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与FDWS86380-F085相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDWS9408-F085 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，80A，1.8mΩ
FDWS9420-F085 ONSEMI

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 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，20A，5.8mΩ
FDWS9508L-F085 ONSEMI

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 		双 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-40 V，-20 A，12.5mΩ
FDX1125B ETC

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 		FIBER OPTIC TRANSCEIVER
FDX1125D ETC

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 		Dual P-Channel (?1.5 V) Specified PowerTrench?MOSFET

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