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FDW264P

更新时间： 2024-11-18 22:49:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
5页 154K
描述
P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

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FDW264P 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSSOP包装说明：TSSOP-8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.38
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：9.7 A最大漏源导通电阻：0.01 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDW264P 数据手册

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November 2003  
FDW264P  
P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
This P-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged  
gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced  
PowerTrench process. It has been optimized for power  
management applications with a wide range of gate  
drive voltage (2.5V – 12V).  
•
•
–9.7 A, –20 V. RDS(ON) = 10.0 mΩ @ VGS = –4.5 V  
RDS(ON) = 14.5 mΩ @ VGS = –2.5 V  
Extended VGSS range (±12V) for battery  
applications  
Applications  
•
•
Low gate charge  
•
•
•
•
Load switch  
High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
Motor drive  
DC/DC conversion  
Power management  
•
Low profile TSSOP-8 package  
5
6
7
8
4
3
2
1
TSSOP-8  
Pin 1  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
–20  
Units  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
V
V
A
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
± 12  
–9.7  
–50  
(Note 1)  
PD  
Power Dissipation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.3  
0.6  
W
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
96  
208  
RθJA  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
264P  
FDW264P  
13’’  
16mm  
3000 units  
FDW264P Rev. C (W)  
2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345

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FDW264P 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI4403CDY-T1-GE3 VISHAY

功能相似

 Small Signal Field-Effect Transistor, 13.4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
TPS1100D TI

功能相似

 SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

与FDW264P相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDW264P_NL FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDW6923 FAIRCHILD

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FDW6923_08 FAIRCHILD

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 		P-Channel 2.5V Specified PowerTrench剖 MOSFET
FDW9926 FAIRCHILD

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 		Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDW9926A FAIRCHILD

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 		Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDW9926A_08 FAIRCHILD

获取价格

 		Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDW9926NZ FAIRCHILD

获取价格

 		Common Drain N-Channel 2.5V specified PowerTrench MOSFET
FDWS5360L-F085 ONSEMI

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 		60V N沟道PowerTrench® MOSFET
FDWS86068-F085 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V，80A，4.5mΩ
FDWS86368-F085 ONSEMI

获取价格

 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 80V, 80A, 4.5mΩ

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