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FDW262P

更新时间： 2024-11-18 22:49:03

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
页数	文件大小	规格书
5页	89K
描述
20V P-Channel PowerTrench MOSFET

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FDW262P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSSOP	包装说明：	TSSOP-8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.34
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.5 A	最大漏极电流 (ID)：	4.5 A
最大漏源导通电阻：	0.047 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.6 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDW262P 数据手册

June 2001

FDW262P

20V P-Channel PowerTrench MOSFET

General Description

Features

This P-Channel 1.8V specified MOSFET is produced

• –4.5 A, –20 V. R_DS(ON)= 47 mΩ @ V_GS= –4.5 V

R_DS(ON)= 65 mΩ @ V_GS= –2.5 V

using

Fairchild

Semiconductor’s

advanced

PowerTrench process that has been especially tailored

to minimize the on-state resistance and yet maintain

low gate charge for superior switching performance.

R_DS(ON)= 100 mΩ @ V_GS= –1.8 V

• R_DS(ON)rated for use with 1.8 V logic

• Low gate charge (13nC typical)

Applications

• Power management

• Load switch

• High performance trench technology for extremely

low R_DS(ON)

• Low profile TSSOP-8 package

TSSOP-8

Pin 1

Absolute Maximum Ratings T_A=25^oC unless otherwise noted

Symbol

V_DSS

Parameter

Drain–Source Voltage

Ratings

Units

–20

V_GSS

Gate-Source Voltage

±8

–4.5

I_D

Drain Current – Continuous

– Pulsed

(Note 1a)

–40

Power Dissipation for Single Operation

(Note 1a)

(Note 1b)

1.3

P_D

0.6

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

–55 to +150

°C

Thermal Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

(Note 1a)

(Note 1b)

R_θJA

°C/W

133

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape width

Quantity

262P

FDW262P

13’’

16mm

3000 units

FDW262P Rev C(W)

2001 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3 4 5

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FDW262P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SI4403CDY-T1-GE3	VISHAY	功能相似	Small Signal Field-Effect Transistor, 13.4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
TPS1100DR	TI	功能相似	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 15V V(BR)DSS \| 1.6A I(D) \| SO
TPS1100D	TI	功能相似	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

与FDW262P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDW262P_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDW264P	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDW264P_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDW6923	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET with Schottky Diode
FDW6923_08	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel 2.5V Specified PowerTrench剖 MOSFET
FDW9926	FAIRCHILD	获取价格	Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDW9926A	FAIRCHILD	获取价格	Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDW9926A_08	FAIRCHILD	获取价格	Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDW9926NZ	FAIRCHILD	获取价格	Common Drain N-Channel 2.5V specified PowerTrench MOSFET
FDWS5360L-F085	ONSEMI	获取价格	60V N沟道PowerTrench® MOSFET

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