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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.06 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6.5 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.5 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI6463DQ-E3 | VISHAY |
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Transistor |
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| SI6463DQ-T1-E3 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 20V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| SI6465DQ | VISHAY |
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Transistor, |
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| SI6465DQ-E3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 8.8 A, 8 V, 0.012 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TSSOP-8, FET General Purpo |
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| SI6465DQ-T1 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 8V, 0.012ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| SI6465DQ-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 8V, 0.012ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| SI6465DQ-T1-GE3 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| SI6466 | FAIRCHILD |
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20V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| SI6466ADQ | VISHAY |
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N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
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| SI6466ADQ_08 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
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