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SI6463BDQ-E3

更新时间： 2024-11-18 21:05:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 70K
描述
TRANSISTOR 6200 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSSOP-8, FET General Purpose Small Signal

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SI6463BDQ-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSSOP
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.69配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：6.2 A
最大漏源导通电阻：0.015 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI6463BDQ-E3 数据手册

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Si6463BDQ  
Vishay Siliconix  
New Product  
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
0.015 @ V  
= -4.5 V  
= -2.5 V  
= -1.8 V  
-7.4  
- 6.3  
- 5.5  
GS  
GS  
GS  
0.020 @ V  
0.027 @ V  
-20  
S*  
TSSOP-8  
G
D
D
S
S
D
1
2
3
4
8
7
6
5
D
* Source Pins 2, 3, 6 and 7  
must be tied common.  
S
S
Si6463BDQ  
G
Top View  
D
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
-20  
DS  
GS  
V
V
"8  
T
= 25_C  
= 70_C  
- 7.4  
-5.9  
-6.2  
4.9  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
J
D
T
A
A
Pulsed Drain Current (10 ms Pulse Width)  
I
-30  
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
-1.35  
1.5  
-0.95  
1.05  
0.67  
S
T
= 25_C  
= 70_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
1.0  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
-55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 10 sec  
Steady State  
Steady State  
65  
100  
46  
83  
120  
56  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJF  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 72018  
S-21782—Rev. A, 07-Oct-02  
www.vishay.com  
1
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI6463DQ FAIRCHILD

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 		P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
SI6463DQ VISHAY

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 		Transistor,
SI6463DQ-E3 VISHAY

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 		Transistor
SI6463DQ-T1-E3 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 20V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
SI6465DQ VISHAY

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