SI6435ADQ

更新时间： 2024-11-18 03:32:07

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威世 - VISHAY		晶体晶体管
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3页	48K
描述
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI6435ADQ 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.7 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.05 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

SI6435ADQ 数据手册

_C/W

Si6435ADQ

Vishay Siliconix

New Product

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.030 @ V = –10 V

"5.5

"4.1

–30

0.055 @ V = –4.5 V

TSSOP-8

* Source Pins 2, 3, 6 and 7

must be tied common.

Si6435ADQ

Top View

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T= _2C5 UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

–30

"20

= 25_C

= 70_C

"5.5

"4.5

"4.7

"3.7

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current (10 ms Pulse Width)

"30

Continuous Source Current (Diode Conduction)

–1.35

1.5

–0.95

1.05

0.67

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

1.0

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

100

120

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJF

Maximum Junction-to-Foot

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 71104

S-99421—Rev. A, 29-Nov-99

www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600

2-1

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