SI6447DQ

更新时间： 2024-11-17 22:21:51

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体小信号场效应晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	50K
描述
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SI6447DQ 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.35
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.2 A	最大漏源导通电阻：	0.09 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SI6447DQ 数据手册

Si6447DQ

Vishay Siliconix

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.09 @ V = –10 V

"3.2

"2.4

–20

0.16 @ V = –4.5 V

TSSOP-8

* Source Pins 2, 3, 6 and 7

must be tied common.

Si6447DQ

Top View

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T= _2C5 UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

–20

"20

= 25_C

= 70_C

"3.2

"2.5

"20

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)

–1.7

= 25_C

= 70_C

1.5

Maximum Power Dissipation

1.0

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

_C/W

Notes

a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 10 sec.

For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm

Document Number: 70170

S-00872—Rev. G, 01-May-00

www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600

2-1

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与SI6447DQ相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI6459BDQ	VISHAY	获取价格	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI6459BDQ-T1	VISHAY	获取价格	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI6459BDQ-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI6459DQ	VISHAY	获取价格	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI6459DQ-T1-E3	VISHAY	获取价格	Transistor,
SI6463ADQ-T1-E3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
SI6463BDQ	VISHAY	获取价格	P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI6463BDQ_05	VISHAY	获取价格	P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI6463BDQ-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 6200 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSSOP-8, FET General Purpos
SI6463DQ	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET